Process for the fabrication of mosfet devices depletion, silicided source and drain junctions

Mosfet 디바이스의 공핍 규화 소스 및 드레인접합부의 제작 공정

Abstract

최소의 다중 공핍 규화 소스 및 드레인 접합부와 시트 저항이 매우 낮은 다중 게이트를 갖는 0.1㎛ 이하 MOSFET 디바이스를 다마신 게이트 공정을 이용하여 제공하며, 더미 게이트 영역이 존재하는 상태로 소스 및 드레인 이식 활성화 어닐링 및 규화 처리를 행하고, 상기 더미 게이트 영역을 제거한 뒤 폴리실리콘 게이트 영역으로 대체한다.

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    US-8623765-B2January 07, 2014Tokyo Electron LimitedProcessed object processing apparatus, processed object processing method, pressure control method, processed object transfer method, and transfer apparatus