Thin-film transistor device, its manufacturing process, and image display using the device

박막 트랜지스터 장치, 그 제조방법 및 이 장치를 이용한화상표시장치

Abstract

본 발명에 따르면, 실리콘 또는 그밖의 IV족 결정(C,Ge,Sn,Pb의 어느 것 또는 그들의 혼정)으로 이루어진 박막이, 상기 박막 내의 정확한 위치에 고품질 다결정을 형성하기 위하여 결정입이 더 크게 성장하는 두개의 횡방향으로 이동하는 레이저광으로 두번 주사되는 한편, 상기 종래기술에 의해 제어불가능한 결함은 상당히 감소하여 고품질 TFT 장치를 실현한다. 상기 레이저-주사 방향은 결정면 방위에 의해 정의된다.
PURPOSE: To provide a high function thin film transistor device wherein the occurrence of a defect in a crystalline thin film forming the thin film transistor is reduced. CONSTITUTION: There is obtained a high function thin film transistor device wherein the occurrence of a defect is sharply reduced by scanning laser light laterally of Si or the other element of a IV group (one from among of C, Si, Ge, Sn, Pb or their mixed crystal) thin film in which direction crystal grains of the thin film are most likely to be grown, and a high quality polycrystal is formed at a controlled position.

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