비 전도성 재료에 형성되는 전자파간섭(emi) 차폐막의제조방법

process of forming an electromagnetic interference (EMI) shielding film on a non-conductive material

Abstract

본 발명은 비전도 재료의 표면에 전자파 간섭(EMI)을 차폐하는 한 겹 또는 여러 겹의 금속 차폐막을 형성시키는 방법으로, 상기 방법은 비전도 재료의 표면을 거칠게 처리하는 단계와, 상기 거칠어진 표면에 물리적으로 한 겹 또는 여러 겹의 금속막을 증착(예: 스퍼터링)하는 단계를 구비하여, 전자파 간섭(EMI) 차폐막을 형성시킨다. 본 발명에 따른 방법은 해당 표면을 거칠게 처리함으로써 EMI 차폐막 역할을 하는 금속막이 물리적인 증착 방식을 거쳐 비전도 재료의 표면에 대해 뛰어난 부착력을 지닌다. 본 금속막의 부착력은 5B의 단계에 달하여 시장의 EMI 차폐막에 대한 요구에 부합될 뿐만 아니라 심지어 그 이상의 성능을 가진다.
PURPOSE: A method is provided to allow for a simplicity of manufacture and improved productivity, while achieving improved adhesion force of the electromagnetic interference shielding film. CONSTITUTION: A method comprises a step of roughing a surface of a non-conductive material on which an electromagnetic interference shielding film is to be formed; and a step of depositing one or multiple plies of metal films on the rough surface of the non-conductive material. The roughing process is performed by applying an impact to the surface of the non-conductive material by using firm fine particles.

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    KR-101054538-B1August 04, 2011엘에스엠트론 주식회사전자파 차폐 커넥터