반도체 소자의 갭-필 방법

A method of gap-fill in semiconductor device

Abstract

PURPOSE: A gap-filling method of a semiconductor device is provided to improve a gap-filling characteristic by forming an insulation layer while preventing a void between conductive patterns. CONSTITUTION: A plurality of adjacent conductive patterns on which a hard mask(33) is formed are fabricated on a substrate(30). The upper portion of the hard mask is selectively removed so that the hard masks on the adjacent conductive patterns become a V shape. The sidewall of the conductive pattern is selectively nitridized. An etch barrier layer(35) is formed along the surface of the resultant structure. An insulation layer(36) which gap-fills a gap between the conductive patterns and covers the resultant structure is formed.
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 스퍼터링에 의해 도전패턴 상부의 수직한 단면을 변화시켜 프로파일을 개선한 후 도전층 측벽을 질화시켜 보호막 형성을 생략하도록 함으로써, 후속 절연막 형성에 다른 갭필 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 갭-필 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명은, 소정 공정이 완료된 기판 상에 상부에 하드마스크를 갖는 이웃하는 다수의 도전패턴을 형성하는 제1단계; 상기 하드마스크 상부를 선택적으로 식각하여 상기 이웃하는 각 도전패턴 상의 하드마스크와 'V'자 형상을 갖도록 하는 제2단계; 상기 도전패턴 측벽을 선택적으로 질화시키는 제3단계; 상기 제3단계가 완료된 결과물의 표면을 따라 식각방지막을 형성하는 제4단계; 및 상기 도전패턴 사이를 갭필하며 전체 구조 상부를 덮는 절연막을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자의 갭-필 방법을 제공한다.

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